1.潔凈室內(nèi)溫濕度的控制。

潔凈空間的溫濕度主要根據(jù)工藝要求確定，但在滿(mǎn)足工藝要求的情況下，應(yīng)考慮人的舒適性。隨著空氣清潔度要求的提高，工藝對(duì)溫濕度的要求越來(lái)越嚴(yán)格。

未來(lái)將列出具體工藝的溫度要求，但作為一般原則，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如，在大型集成電路的光刻曝光過(guò)程中，對(duì)玻璃和硅片的熱膨脹系數(shù)的要求越來(lái)越小。

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硅片直徑100um，溫度升高1度，導(dǎo)致0.24um線性膨脹。因此，必須有±0.1度恒溫，濕度值一般較低，因?yàn)槌龊箷?huì)污染產(chǎn)品，特別是害怕鈉的半導(dǎo)體車(chē)間，不得超過(guò)25度。

濕度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致更多的問(wèn)題。當(dāng)相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管壁會(huì)結(jié)露。如果發(fā)生在精密裝置或電路中，會(huì)造成各種事故。當(dāng)相對(duì)濕度為50%時(shí)，很容易生銹。此外，當(dāng)濕度過(guò)高時(shí)，附著在硅片表面的灰塵會(huì)通過(guò)空氣中的水分子化學(xué)吸附在表面，難以去除。

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相對(duì)濕度越高，附著力越難去除。但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導(dǎo)體器件容易穿透。硅片生產(chǎn)的溫度范圍為35-45%。

2.潔凈室氣壓規(guī)定。

對(duì)于大多數(shù)清潔空間，為了防止外部污染，內(nèi)部壓力（靜壓）高于外部壓力（靜壓）。壓差的維護(hù)一般應(yīng)符合以下原則：

1）.潔凈空間的壓力高于非潔凈空間。

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2）.清潔度高的空間壓力高于相鄰清潔度低的空間壓力。

3）.相通潔凈室之間的門(mén)應(yīng)開(kāi)到潔凈度高的房間。

壓差的維持取決于新風(fēng)量，可以補(bǔ)償壓差下間隙泄漏的風(fēng)量。因此，壓差的物理意義是通過(guò)潔凈室各種間隙泄漏（或滲透）的阻力。